什么是TSV?TSV是硅通孔的簡寫，利用通孔進(jìn)行垂直的電連接，貫穿WAFER或芯片。一般來講這種技術(shù)被一些類似臺積電，聯(lián)電和格芯等全球代工廠代工廠制造的。TSV可以替代引線鍵合和倒裝焊技術(shù)?！ SV用于2.5 d和3 d封裝，用于電連接。根據(jù)TSV被制作的時間順序有3種類型的TSV，分別指在晶圓制作工藝中的前，中或后段。第一個在晶圓制作工藝前段，意味著TSV在FEOL段前加工而成。因此工…
查看詳情 點膠和底部填充的路徑與模式基本要求 在設(shè)計點膠路徑時，不僅要考慮點膠效率和填充流動形態(tài)，為了在BGA及類似器件的邊緣良好成型，還要認(rèn)真考慮器件邊緣溢膠區(qū)域限制。日前的電子產(chǎn)品，由于其高密度組裝特點，其溢膠區(qū)域通常受到限制。某些特定區(qū)域溢膠甚至不能超過器件邊沿的0.1mm，較普遍的是小于0.2mm，見圖7A和7B;同時限制區(qū)域外的膠痕厚度不能高過PCB表面20um。由此可見，對于手持式產(chǎn)品的高…
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此類氣泡一般較少并且有規(guī)律(1-2pcs左右，基本在同一位置)?！ ‘a(chǎn)生此類氣泡主要有以下幾方面的原因： 1.點膠機(jī)速度過快。點膠速度過快是萬惡之源?！ ?.點膠針頭位置不合理 or 針頭毛刺現(xiàn)象嚴(yán)重。位置不合理包括預(yù)設(shè)針頭初始位置不合理、針頭高度不合理、點膠過程中機(jī)器 or 夾具偏差 or 支架起伏 or 作業(yè)員未按要求統(tǒng)一放置支架所帶來的針頭偏離合理位置等?！ ?.支架吸濕 or 表…
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1月28日，在廣東省高質(zhì)量發(fā)展大會上，華潤微電子有限公司總裁李虹、粵芯半導(dǎo)體總裁陳衛(wèi)分別對外公布了最新項目動態(tài)，立下“軍令狀”?！ ∪A潤微深圳建設(shè)的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線一期總投資額超220億元，爭取2024年年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)!粵芯半導(dǎo)體，加快三期項目建設(shè)，爭取2023年年底設(shè)備搬入、明年投產(chǎn)! 1、新進(jìn)展!華潤微深圳：12英寸集成電路生產(chǎn)線項目：2024年年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)! 1月…
查看詳情 引線元件通孔插裝(THT)與表面貼裝(SMT)共存的貼插混裝工藝，是當(dāng)前電子產(chǎn)品生產(chǎn)中采用最普遍的一種組裝方式。在整個生產(chǎn)工藝流程中，印刷電路板(PCB)其中一面元件從開始進(jìn)行點膠固化后，到了最后才能進(jìn)行波峰焊焊接，這期間間隔時間較長，而且進(jìn)行其他工藝較多，元件的固化就顯得尤為重要，因而對于點膠工藝的研究分析有著重要意義?！ MT貼片加工膠水及其技術(shù)要求 SMT中使用的膠水主要用于片式元件…
查看詳情 流體點膠是一種以受控的方式對流體進(jìn)行精確分配的過程，它是微電子封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前，點膠技術(shù)逐漸由接觸式點膠向無接觸式(噴射)點膠技術(shù)轉(zhuǎn)變。本文從微電子封裝過程的應(yīng)用出發(fā)，對點膠技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了概述;在對比各種點膠方式的同時，重點介紹了無接觸式噴射點膠技術(shù)，以及其中所涉及的關(guān)鍵技術(shù)，并提出了評價點膠品質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)?！ ×黧w點膠技術(shù)是微電子封裝中的一項關(guān)鍵技術(shù)，它可以構(gòu)造形成點、線、面(涂敷…
查看詳情 智能時代，芯片在我們的生活中無所不在，一顆芯片的誕生，需要經(jīng)過晶圓制造和芯片成品制造兩大階段?！ 【A制造過程非常復(fù)雜，需要經(jīng)歷曝光、蝕刻、離子注入、金屬填充、研磨等一系列步驟后，晶圓上的集成電路才能最終成型。 然而晶圓本身是“脆弱”且“封閉”的，無法直接使用，只有經(jīng)過封裝和測試流程，才能最終生產(chǎn)出獨立、連通、可靠的芯片成品?！ ∧敲矗酒烤故窃鯓颖环庋b的呢? 我們首先介紹一種技術(shù)成熟、…
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韓國《首爾經(jīng)濟(jì)日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?！ I(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片(共 10 萬)，高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2…
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毛細(xì)管底部填充(CUF)工藝與塑封底部填充(MUF)工藝對比 傳統(tǒng)底部填充料中二氧化硅等填料的質(zhì)量含量一般在 50%~70%之間，而塑封底部填充料申二氧化硅的質(zhì)量含量高達(dá) 80%。同時因為工藝的特點，塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技術(shù)與傳統(tǒng)底部填充技術(shù)相比，對工藝進(jìn)行了簡化，同時提高了生產(chǎn)效率及封裝的可靠性，可以滿足不斷發(fā)展的市場整體產(chǎn)品需求。 整道Underfil…
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